GAA(Gate-All-Around, 게이트올어라운드)는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널을 게이트가 4개 면 전부 감싸는 구조로, 3개 면만 감싸던 이전 세대 핀펫(FinFET)보다 전류 제어력이 뛰어나 2nm 이하 미세공정에서도 누설전류를 억제할 수 있습니다. 같은 기술을 회사마다 다르게 부르는데, 삼성전자는 MBCFET(다중가교채널 트랜지스터), TSMC는 GAAFET, 인텔은 RibbonFET이라 칭합니다. 삼성전자가 2022년 3nm에 세계 최초로 GAA를 적용했지만, TSMC는 3nm까진 기존 핀펫을 유지하다 2nm(N2)에서야 처음 GAA로 전환했습니다 — 그래서 '최초 도입은 삼성, 하지만 수율·점유율은 TSMC 우위'라는 엇갈린 평가가 나옵니다.